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超平二氧化硅基底是在超平硅晶片上熱生長(zhǎng)非晶SiO₂膜（200nm厚度）。SiO₂是最具特色的材料之一，廣泛用于半導(dǎo)體制造，薄膜研究和生長(zhǎng)細(xì)胞的基質(zhì)，它可以直接用作AFM和SEM成像的基底。超平的Thermal二氧化硅基底是6英寸晶圓，或是切割6英寸晶圓而來(lái)，切割后的尺寸分別有5x5mm，5x7mm和10x10mm芯片。6英寸晶圓采用6英寸晶圓托盤(pán)運(yùn)輸，切割后的二氧化硅片裝在Gel-Pak盒中。本產(chǎn)品在10級(jí)潔凈室條件下包裝。

基底的特性：

• 方向：<100>
• 等級(jí)：Prime / CZ Virgin
• 電阻：1-50 Ohm/cm
• 類(lèi)型：P / Dopant：硼
• 晶圓厚度：655-695μm
• TTV：<=7μm/ STIR：<=1.0μm
• 翹曲：<=40μm/弓：<=40μm
• 顆粒：< = 20 @ > =3.0μm
• 前表面：拋光
• 背面：蝕刻
• 平面：每SEMI標(biāo)準(zhǔn)1個(gè)（平面長(zhǎng)度57.5 + / 12.5mm）
• 薄膜：200nm +/- 5％熱氧化物（SiO 2），無(wú)定形
• 尺寸：6“（150mm）直徑晶圓或5x5mm，5x7mm或10x10mm切割芯片
• 粗糙度：典型的2-3Å

產(chǎn)品選購(gòu)：